炭化ケイ素(SiC:Silicon Carbide 製品名:ROICERAM?-HS)は高純度?高強度?低熱膨張という特長をもち、耐酸性?耐熱性に優れています。主に高溫で使用される半導體製造裝置の部材として、30年以上の実績があります。そこで培われた様々な技術を活かして、近年は、LED?太陽電池?SiCパワーデバイス用途でも採用されています。

使用用途

  • 半導體製造裝置用部材(Si、SiCパワーデバイス、高溫酸化?拡散爐、LPCVD爐)
  • LED製造裝置用部材(MOCVD爐)
  • 太陽電池製造裝置用部材(高溫拡散爐)
  • 精密光學機器用構造部材
  • 航空宇宙分野など

炭化ケイ素(Silicon Carbide)とは

シリコン(Si)と炭素(C)が結合した化合物で、セラミックスに分類されます。 ダイヤモンド?炭化ホウ素に次ぐ高い硬度をもち、耐熱性?化學的安定性?耐酸化性?熱伝導性に優れています。

ロイセラム?-HSの特長

ロイセラム?-HSの物性データ

項目 単位 ロイセラム?‐HS Uグレード
見かけ嵩密度 kg/? 3.0×103
3點曲げ強度 MPa 230
ヤング率 GPa 366
熱膨張係數 10-6/℃ 4.4
熱伝導率 W/(m?K) 180
比熱 J/(kg?K) 0.7×103
體積固有抵抗(20℃) Ω?cm 1×10-1
  • データは參考値であり、保証値ではありません。

技術開発

主に高溫で使用される半導體製造裝置の部材として、30年以上の実績があり、そこで培われた様々な技術[①複雑な構造を実現する接合技術 ②ミクロンオーダーの精度を実現する精密加工技術 ③気相成長(CVD)法によるSiC成膜技術]を活かして、近年は、LED?太陽電池?SiCパワーデバイス用途でも採用されています。また、SiCは原子力や核融合、航空宇宙分野などでの応用が期待されています。AGCはこれらを含めた新しいアプリケーションの可能性を追求した技術開発を続けています。

接合技術

複雑な構造を実現する

精密加工技術

ミクロンオーダーの精度を実現する

成膜技術

気相成長(CVD)法による

販売?生産拠點